Nezařazené - součástky

Výkonový MOSFET tranzistor s P-kanálem (vodivostní kanál typu P) určený pro spínací aplikace v napájecích zdrojích, měničích a regulátorech Nízký odpor kanálu zajišťuje efektivní

MOSFET tranzistor P-kanálový určený pro spínací aplikace v nízkovýkonových obvodech Standardní součástka pro řízení zátěží, spínače a ochranné obvody Vlastnosti Typ: MOSFET, P-ka

P-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace v nízkovýkonových obvodech Součástka s nízkým odporem kanálu je vhodná pro řízení zátěží, spínání a ochranu v napájecích z

N-kanálový výkonový MOSFET tranzistor IRF710PBF určený pro spínací aplikace v napěťovém rozsahu do 400 V Základní součástka pro spínače, měniče a řídicí obvody

N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace v napěťových zdrojích, měničích a dalších výkonových obvodech Vlastnosti Typ: N-kanálový MOSFET Maximální napětí Uds: 400

MOSFET tranzistor kanálu P určený pro spínací aplikace v napájecích zdrojích, měničích a řídicích obvodech Nízký odpor kanálu zajišťuje efektivní přenos výkonu s minimálními ztrát

Výkonový MOSFET tranzistor kanálu P určený pro spínací aplikace v napájecích zdrojích, měničích a řídicích obvodech Nízký odpor v propustném stavu umožňuje efektivní spínání s min

N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace s vysokým napětím Vhodný pro spínané zdroje, měniče a další výkonové obvody Vlastnosti Typ: N-kanálový MOSFET (unipolární

Výkonový N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace s vyšší zátěží Nízký odpor kanálu a vysoká proudová kapacita umožňují efektivní řízení výkonových obvodů Vlastno

N-kanálový výkonový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace s vyšším napětím a proudem Vhodný pro spínané zdroje, měniče, motorové řidiče a výkonové zesilovače Vlastnosti T

Výkonový N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínané zdroje, měniče a výkonové aplikace vyžadující vysoké napětí a proud Vlastnosti Typ: N-kanálový MOSFET (unipolární tranzist

Tranzistor MOSFET s kanálem P určený pro spínací aplikace v nízkofrekvenčních obvodech Pouzdro SOT-223 umožňuje snadnou montáž na desku plošných spojů Vlastnosti Typ: MOSFET, kan

MOSFET tranzistor s kanálem P (P-channel) v pouzdře SOT-223 určený pro spínací aplikace a řízení zátěže Nízký odpor kanálu zajišťuje efektivní přepínání s minimálními ztrátami Vl

N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace s středním výkonem Nízký odpor kanálu (Ron) umožňuje efektivní spínání v napájecích zdrojích, DC-DC měničích a dalších apl

N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace v nižších proudech Základní provedení vhodné pro běžné spínací obvody a regulační aplikace Vlastnosti Typ: N-kanálový MOS

N-kanálový MOSFET tranzistor v pouzdře SO-8 (SMD) určený pro spínací aplikace s vyšší proudovou zátěží Vhodný pro spínané zdroje, měniče a řídicí obvody Vlastnosti Typ: N-kanálov

N-kanálový MOSFET tranzistor IRF7493PBF určený pro spínací aplikace v napájecích zdrojích, měničích a řídicích obvodech Pouzdro SO-8 (3,9 mm) umožňuje povrchovou montáž na desku p

N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace s vyšší zátěží Nízký odpor kanálu a vysoký proud umožňují efektivní řízení výkonu v měničích, regulátorech a spínacích zdr

N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace v napájecích zdrojích, měničích a řídicích obvodech Součástka v pouzdře SO-8 s nízkým odporem kanálu zajišťuje efektivní s

N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace v napájecích zdrojích, měničích a dalších výkonových obvodech Vlastnosti Typ: N-kanálový MOSFET (unipolární tranzistor) Po

N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace v napájecích zdrojích, měničích a dalších výkonových obvodech Vlastnosti Typ: N-kanálový MOSFET (unipolární tranzistor) Ma

N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace s vyšším proudem Nízký odpor kanálu a kompaktní pouzdro SO-8 umožňují efektivní tepelné řešení v průmyslových a spotřebite

N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace v napájecích zdrojích, měničích a řídících obvodech Nízký odpor kanálu zajišťuje efektivní přenos výkonu s minimálními ztr

N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace s vyšším proudem Standardní provedení pro použití v napájecích zdrojích, měničích a dalších výkonových obvodech Vlastnost