P-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace v nízkovýkonových obvodech. Součástka s nízkým odporem kanálu je vhodná pro řízení zátěží, spínání a ochranu v napájecích zdrojích a řídicích obvodech.
Vlastnosti
- Typ: P-kanálový MOSFET (MFET-P)
- Maximální napětí Uds: 200 V
- Maximální proud Id: 0,4 A
- Maximální výkon: 1 W
- Odpor kanálu (Ron): 3 Ω
- Pouzdro: DIP-4
- Certifikace: RoHS (bezolovnatý)
Využití
MOSFET tranzistory řady IRFD se používají v řídicích obvodech, spínačích, ochranných zařízeních a nízkopříkonových aplikacích. P-kanálová varianta slouží k řízení zátěží připojených na kladný potenciál. Typické použití: spínání relé, LED, malých motorů, řízení napájení v bateriových zařízeních a průmyslové elektronice.