MOSFET tranzistor P-kanálový určený pro spínací aplikace v nízkovýkonových obvodech. Standardní součástka pro řízení zátěží, spínače a ochranné obvody.
Vlastnosti
- Typ: MOSFET, P-kanál (MFET-P)
- Pouzdro: DIP-4
- Maximální napětí Uds: 60 V
- Maximální proud Id: 1,6 A
- Maximální výkon: 1,3 W
- Odpor kanálu (Ron): 280 mΩ
- Certifikace: RoHS
Využití
Vhodný pro spínání a řízení nízkovýkonových zátěží v průmyslové elektronice, měřicích přístrojích a řídicích obvodech. Používá se v aplikacích vyžadujících nízkou spotřebu energie a kompaktní provedení.