N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace s vyšším proudem. Nízký odpor kanálu a kompaktní pouzdro SO-8 umožňují efektivní tepelné řešení v průmyslových a spotřebitelských aplikacích.
Vlastnosti
- Typ: N-kanálový MOSFET (unipolární tranzistor)
- Pouzdro: SO-8 (SMD, výška 3,9 mm)
- Certifikace: RoHS
- Vhodný pro spínané zdroje, DC-DC měniče a řídicí obvody
Technické parametry
- Maximální napětí Uds
- 25 V
- Maximální proud Id
- 25 A
- Maximální výkon
- 2,5 W
- Odpor kanálu (Ron)
- 2,7 mΩ
Využití
MOSFET se používá v napájecích zdrojích, DC-DC měničích, spínacích regulátorech a dalších aplikacích vyžadujících řízení vyšších proudů při nízkém napětí. Nízký odpor kanálu minimalizuje ztráty a umožňuje efektivní přepínání.