N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace s vyšší zátěží. Nízký odpor kanálu a vysoký proud umožňují efektivní řízení výkonu v měničích, regulátorech a spínacích zdrojích.
Vlastnosti
- Typ: N-kanálový MOSFET (unipolární tranzistor)
- Pouzdro: SO-8 (SMD, výška 3,9 mm)
- Nízký odpor kanálu (Ron) pro minimální ztráty
- Vhodný pro vysokofrekvenční spínání
- Certifikace RoHS
Technické parametry
- Maximální napětí Uds
- 30 V
- Maximální proud Id
- 21 A
- Maximální výkon
- 2,5 W
- Odpor kanálu (Ron)
- 3,6 mΩ
- Pouzdro
- SO-8 (SMD)
- Výrobce
- IRF
- Certifikace
- RoHS
Využití
MOSFET se používá v napájecích zdrojích, DC-DC měničích, spínacích regulátorech a výkonových obvodech. Nízký odpor kanálu zajišťuje nižší ztráty a lepší tepelné chování. Vhodný pro aplikace vyžadující spolehlivé spínání při středních výkonech.