Nezařazené - součástky

Budič MOSFET/IGBT s výstupním proudem 3 A určený pro řízení výkonových tranzistorů v nízkonapěťových aplikacích Obvod je vhodný pro spínané zdroje, měniče a další výkonové aplikac

N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace s vysokým proudem Nízký odpor kanálu a kompaktní pouzdro PDFN8 5×6 mm umožňují efektivní tepelné řešení v aplikacích vyžad

N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace s vysokým proudem Nízký odpor v propustném směru zajišťuje efektivní přenos výkonu s minimálními ztrátami Vlastnosti Typ:

32bitový mikrokontrolér řady PIC32MX350 od společnosti Microchip Určen pro průmyslové aplikace, řízení motorů, komunikační moduly a embedded systémy vyžadující vyšší výpočetní výk

32bitový mikrokontrolér řady PIC32MX450 od společnosti Microchip určený pro embedded aplikace vyžadující vyšší výpočetní výkon a větší paměť Vlastnosti Architektura: 32bitový MIPS

8bitový mikrokontrolér řady PIC16F od společnosti Microchip s integrovanou pamětí Flash a EEPROM Určen pro vestavěné aplikace vyžadující nízkou spotřebu a kompaktní provedení Vla

Metalizovaný rezistor v pouzdře SMD 0805 s nominální hodnotou 18 kΩ Součástka určená pro běžné aplikace v elektronických obvodech, kde je vyžadována přesnost a stabilita

Lineární stabilizátor napětí s pevným výstupem 5 V určený pro SMD montáž Základní provedení pro běžné aplikace vyžadující stabilizované napájení v rozsahu teplot -40 °C až +125 °C

Svorkovnice do tiskového spoje (PS) určená pro připojení vodičů v elektromechanických aplikacích Standardní provedení s třemi póly pro běžné instalace a rozvodné skříně Vlastnost

Tyristor řady BT152 od výrobce NXP určený pro spínání a řízení střídavých i stejnosměrných obvodů Standardní součástka pro průmyslové aplikace, regulaci výkonu a spínací obvody V

Vysokonapěťový budič IR2102S pro řízení MOSFET a IGBT tranzistorů v topologiích s horní a dolní větví (half-bridge) Integrovaný obvod s galvanickou izolací mezi kanály umožňuje př

Vysokonapěťový budič MOSFET a IGBT obvodů IR2117S od společnosti IRF Určen pro řízení výkonových tranzistorů v spínaných zdrojích, měničích a dalších aplikacích s vysokým napětím

Vysokonapěťový budič IR2184 určený pro řízení výkonových MOSFET a IGBT tranzistorů v topologiích s horním a dolním spínačem (half-bridge, full-bridge) Obvod integruje všechny potř

Integrovaný budič pro MOSFET a IGBT tranzistory s vysokonapěťovým výstupem Určen pro spínané zdroje, měniče a další aplikace vyžadující řízení výkonových polovodičů Vlastnosti Vy

Integrovaný budič pro řízení výkonových tranzistorů MOSFET a IGBT s vysokonapěťovým výstupem Obvod IRS2104PBF je určen pro aplikace vyžadující přesné a rychlé spínání výkonových p

Integrovaný budič pro spínané výkonové prvky (MOSFET a IGBT) s dvoukanálovým výstupem typu high-side a low-side Určen pro řízení výkonových tranzistorů v měničích, měnidlech a spí

Vysokonapěťový budič pro MOSFET a IGBT tranzistory s galvanicky odděleným vysokonapěťovým a nízkopásmovým výstupem Určen pro řízení výkonových spínačů v měničích, měnidlech a dalš

Integrovaný budič pro MOSFET a IGBT tranzistory s vysokonapěťovým výstupem Obvod IRS2110S je určen pro řízení horního a dolního spínače (high-side a low-side) v topologiích jako j

Budič MFET,H+L side,500V,2/2A,120/94ns,-40+125°C IR2110STR SMD Pouzdro:SO16 7 5mm RoHS:LF Mj:ks

Teplovodivý výlisek značky KERATHERM určený pro odvod tepla v elektronických zařízeních Bílé provedení s vysokou tepelnou vodivostí, vhodný pro pouzdra typu TO220-2 Vlastnosti Ro

Metalizovaný vrstvený rezistor (odpor) v miniaturním pouzdře SMD 0402 Určen pro vysokofrekvenční obvody, měřicí přístroje a spotřební elektroniku s požadavkem na přesnost a stabil

Vícevrstvý keramický kondenzátor v pouzdře SMD 1210 s kapacitou 22 µF a pracovním napětím 25 V Určen pro běžné aplikace v elektronických zařízeních, kde je vyžadována stabilní kap

Tantalový kondenzátor v pouzdře SMD určený pro stabilizaci napětí, filtraci a vyhlazování v elektronických obvodech Nízký ESR a vysoká kapacitní hustota jej činí vhodným pro spína

Tantalový kondenzátor v pouzdře SMD určený pro běžné aplikace v elektronických obvodech vyžadujících stabilní kapacitu a nízkou impedanci Vlastnosti Kapacita: 10 µF Jmenovité napě