Budič MOSFET/IGBT s výstupním proudem 3 A určený pro řízení výkonových tranzistorů v nízkonapěťových aplikacích. Obvod je vhodný pro spínané zdroje, měniče a další výkonové aplikace vyžadující rychlé a spolehlivé spínání.
Vlastnosti
- Výstupní proud: 3 A
- Maximální napájení: 18 V
- Pouzdro: SO-8 (SMD, 3,9 mm)
- Teplotní rozsah: -40 °C až +125 °C
- Certifikace: RoHS
- Jednokanálový budič (L-side řízení)
Využití
Budič se používá v DC-DC měničích, spínaných zdrojích, měničích napětí a dalších aplikacích s výkonovými MOSFET nebo IGBT tranzistory. Zajišťuje kvalitní řízení spínacího prvku s dostatečným výstupním proudem pro rychlé nabíjení a vybíjení hradla.
Technické parametry
- Model
- MCP14E11-E/SN
- Typ
- Budič MOSFET/IGBT
- Výstupní proud
- 3 A
- Maximální napájení
- 18 V
- Pouzdro
- SO-8
- Teplotní rozsah
- -40 °C až +125 °C
- RoHS
- Ano