Vysokofrekvenční bipolární tranzistor NPN typu MMBTH10 v miniaturním pouzdře SOT-23. Určen pro RF a VF aplikace do cca 650 MHz.
Vlastnosti
- Typ: bipolární tranzistor NPN
- Maximální napětí kolektor–emitor (Uce): 25 V
- Maximální výkon: 0,225 W
- Minimální proudový zisk (B): > 60
- Frekvenční rozsah: do cca 650 MHz
- Pouzdro: SOT-23 (SMD)
- Certifikace: RoHS
Využití
Využívá se v nízkošumových zesilovačích, RF obvodech, spínacích aplikacích a vysokofrekvenčních oscilátorech. Vhodný pro přijímače, vysílače a měřicí přístroje pracující v pásmu VF.
Technické parametry
- Model
- MMBTH10LT1G
- Maximální napětí Uce
- 25 V
- Maximální výkon
- 0,225 W
- Minimální proudový zisk
- > 60
- Pouzdro
- SOT-23