Výkonový N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace v napájecích zdrojích, měničích a dalších výkonových obvodech.
Vlastnosti
- Typ: N-kanálový MOSFET (unipolární tranzistor)
- Maximální napětí mezi drain a source (Uds): 600 V
- Maximální proud drain (Id): 7 A
- Maximální výkon: 125 W
- Pouzdro: TO-220 (průchodní)
- Nízký odpor kanálu (Ron): 950 mΩ
- Certifikace: RoHS
Využití
MOSFET tranzistory řady STP9NK60Z se používají v spínaných zdrojích, DC-DC měničích, invertorech a dalších výkonových aplikacích vyžadujících vysoké napětí a střední proud. Nízký odpor kanálu zajišťuje nízké ztráty při spínání.