N-kanálový výkonový MOSFET tranzistor IRF IRL8113PBF určený pro spínací aplikace s vyšší zátěží. Nízký kanálový odpor zajišťuje efektivní přenos výkonu s minimálními ztrátami.
Vlastnosti
- Typ: N-kanálový MOSFET (unipolární tranzistor)
- Maximální napětí mezi drain-source: 30 V
- Maximální proud drain: 42 A
- Maximální výkon: 110 W
- Kanálový odpor (RDS(on)): 6 mΩ
- Pouzdro: TO-220AB (3 vývody, vhodné pro přímou montáž na chladič)
- Certifikace: RoHS
Využití
MOSFET tranzistory tohoto typu se používají v DC-DC měničích, spínaných zdrojích, motorových řídičích, nabíječkách a dalších aplikacích vyžadujících spínání vyšších proudů. Nízký kanálový odpor minimalizuje tepelné ztráty a zvyšuje účinnost obvodu.