Výkonový N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínané zdroje, měniče a výkonové aplikace s vyšším napětím.
Vlastnosti
- Typ: N-kanálový MOSFET (unipolární tranzistor)
- Maximální napětí Uds: 800 V
- Maximální proud Id: 7,8 A
- Maximální výkon: 190 W
- Odpor kanálu (Ron): 1,2 Ω
- Pouzdro: TO-247
- Certifikace: RoHS (bezolovnatý)
Využití
Využívá se v napájecích zdrojích, DC-DC měničích, spínacích regulátorech a dalších aplikacích vyžadujících spínání vysokého napětí a výkonu. Vhodný pro průmyslové a telekomunikační zdroje.