Výkonový N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace s vyšším napětím a proudem. Standardní součástka pro spínané zdroje, měniče a výkonové obvody.
Vlastnosti
- Typ: MOSFET, N-kanál, výkonový
- Pouzdro: TO-220AB (3 vývody)
- Certifikace: RoHS
- Nízký odpor kanálu (Ron) pro minimalizaci ztrát
Technické parametry
- Model
- IRFB812PBF
- Maximální napětí Uds
- 500 V
- Maximální proud Id
- 3,6 A
- Maximální výkon
- 78 W
- Odpor kanálu Ron
- 2,2 Ω
- Pouzdro
- TO-220AB
Využití
MOSFET tranzistory řady IRFB812 se používají v napájecích zdrojích, DC-DC měničích, spínacích regulátorech a dalších výkonových aplikacích vyžadujících spolehlivé spínání při vyšších napětích. Vhodný pro profesionální servisy, výrobní linky a průmyslové aplikace.