Výkonový N-kanálový MOSFET tranzistor IRF640PBF určený pro spínací aplikace a výkonové obvody. Nízký odpor kanálu zajišťuje efektivní přepínání s minimálními ztrátami.
Vlastnosti
- Typ: N-kanálový MOSFET (unipolární tranzistor)
- Maximální napětí Uds: 200 V
- Maximální proud Id: 17 A
- Maximální výkon: 125 W
- Odpor kanálu (Ron): 180 mΩ
- Pouzdro: TO-220AB
- Certifikace: RoHS
Využití
MOSFET tranzistory řady IRF640 se používají v napájecích zdrojích, spínaných regulátorech, měničích napětí, motorových řídících obvodech a dalších aplikacích vyžadujících spolehlivé spínání vyšších proudů a napětí. Nízký odpor kanálu umožňuje efektivní přenos výkonu s minimálními tepelnými ztrátami.