Tranzistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) určený pro spínací aplikace v průmyslové elektronice, měničích a regulátorech výkonu.
Vlastnosti
- Typ: IGBT (bipolární tranzistor s izolovanou bránou)
- Maximální napětí kolektor-emitor: 600 V
- Maximální proud kolektoru: 13 A
- Maximální výkon: 60 W
- Pouzdro: TO-220AB (3 vývody, přední chladič)
- Certifikace: RoHS
Využití
IGBT tranzistory řady IRG4BC20 se používají v měničích stejnosměrného napětí (DC-DC), spínaných zdrojích, frekvenčních měničích a dalších aplikacích vyžadujících spínání vyšších napětí a proudů. Vhodné pro průmyslové řídící obvody a energetickou elektroniku.