IGBT tranzistor (izolovaný bipolární tranzistor s hradlem) od společnosti IRF určený pro spínací aplikace v průmyslové elektronice a výkonových zdrojích.
Vlastnosti
- Typ: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
- Maximální napětí kolektor–emitor (UCE): 600 V
- Maximální proud kolektoru (IC): 16 A
- Maximální výkon: 60 W
- Pouzdro: TO-220AB (průchodní, 3 vývody)
- Certifikace: RoHS
Využití
Využívá se v měničích, spínaných zdrojích, motorových řídičích a dalších aplikacích vyžadujících spínání vysokého napětí a proudu. IGBT tranzistory nabízejí nižší ztráty a vyšší spínací frekvenci ve srovnání s klasickými bipolárními tranzistory.