Toshiba Bipolární tranzistor s izolovaným hradlem GT30J121 N-kanálový 30 A 600 V, TO-3P, počet kolíků: 3 kolíkový

Toshiba Bipolární tranzistor s izolovaným hradlem GT30J121 N-kanálový 30 A 600 V, TO-3P, počet kolíků: 3 kolíkový
Cena nyní (s DPH):
153,- Kč
bez DPH
126,-
ks


    42 ks k dispozici
    Zboží doručíme do 7 pracovních dnů na Vaši adresu v rámci ČR i na Slovensko
  • Výrobce: Toshiba
  • Kód: o_7965058

  • GT30J121

    Parametry

    • Maximální trvalý kolektorový proud (Ic): 30A
    • Typ produktu: Bipolární tranzistor s izolovaným hradlem
    • Maximální napětí kolektoru (Vceo): 600V
    • Maximální ztrátový výkon (Pd): 170W
    • Typ balení: TO-3P
    • Typ montáže: Průchozí otvor
    • Typ kanálu: N
    • Počet kolíků: 3
    • Spínací napětí: 1MHz
    • Maximální saturační napětí kolektoru (Vce(SAT)): 2.45V
    • Maximální napětí brány (VGEO): ±20 V
    • Minimální provozní teplota: -55°C
    • Maximální provozní teplota: 150°C
    • Normy/schválení: RoHS
    • Automobilový standard: Ne