STMicroelectronics IGBT STGWT80H65DFB N-kanálový 650 V, TO-3P, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz

Obrázek zatím chybí
Cena nyní (s DPH):
213,- Kč
bez DPH
176,-

Toto zboží bohužel neumíme momentálně dodat v rozumném termínu, ale určitě u nás naleznete něco podobného. Zkuste to třeba v této kategorii: Ostatní ceníkové zboží

Pokud chcete zjistit přesnou dostupnost, kontaktujte nás na emailu [email protected]

  • Výrobce: STMicroelectronics
    • Kód: o_8297136

  • STGWT80H65DFB

    Parametry

    • Typ produktu: IGBT
    • Maximální napětí kolektoru (Vceo): 650V
    • Maximální ztrátový výkon (Pd): 469W
    • Typ balení: TO-3P
    • Typ montáže: Průchozí otvor
    • Typ kanálu: N
    • Počet kolíků: 3
    • Spínací napětí: 1MHz
    • Maximální saturační napětí kolektoru (Vce(SAT)): 2V
    • Maximální napětí brány (VGEO): ±20 V
    • Minimální provozní teplota: -55°C
    • Maximální provozní teplota: 175°C
    • Řada: HB
    • Normy/schválení: RoHS
    • Automobilový standard: Ne
Otázky a odpovědi k tomuto produktu
❓  Zeptat se

Zatím zde není žádná otázka ani odpověď k tomuto zboží. Buďte první, kdo se zeptá :-)

Recenze & Hodnocení výrobku