Schottkyho dioda na bázi karbidu křemíku (SiC) určená pro vysokonapěťové spínané zdroje, usměrňovače a výkonové aplikace. Nízký úbytek napětí a rychlé přepnutí zajišťují vysokou účinnost a nízké tepelné ztráty.
Vlastnosti
- Technologie: SiC (karbid křemíku) Schottkyho dioda
- Závěrné napětí: 700 V
- Maximální propustný proud: 24 A
- Pouzdro: TO-220AC
- Certifikace: RoHS (bezolovnatá)
- Nízký úbytek napětí v propustném směru
- Rychlé přepnutí s minimálními ztrátami
Využití
Dioda je určena pro výkonové aplikace v průmyslu a energetice — spínané zdroje, DC-DC měniče, usměrňovače v průmyslových zdrojích, fotovoltaické systémy a vysokonapěťové regulátory. Výhodou SiC technologie je nižší tepelná zátěž a vyšší účinnost oproti klasickým křemíkovým diodám, což umožňuje kompaktnější a spolehlivější konstrukci.
Technické parametry
- Model
- MSC010SDA070K
- Závěrné napětí
- 700 V
- Propustný proud (max.)
- 24 A
- Pouzdro
- TO-220AC
- Materiál
- SiC (karbid křemíku)
- RoHS
- Ano