řada: MDmesh Výkonové tranzistory MOSFET MDmesh II STB23NM50N N-kanálový 17 A 500 V STMicroelectronics, TO-263, počet

řada: MDmesh Výkonové tranzistory MOSFET MDmesh II STB23NM50N N-kanálový 17 A 500 V STMicroelectronics, TO-263, počet
  • řada: MDmesh Výkonové tranzistory MOSFET MDmesh II STB23NM50N N-kanálový 17 A 500 V STMicroelectronics, TO-263, počet
  • řada: MDmesh Výkonové tranzistory MOSFET MDmesh II STB23NM50N N-kanálový 17 A 500 V STMicroelectronics, TO-263, počet
Cena nyní (s DPH):
118,- Kč
bez DPH
98,-
ks


    960 ks k dispozici
    Zboží doručíme do 7 pracovních dnů na Vaši adresu v rámci ČR i na Slovensko
  • Výrobce: STMicroelectronics
  • Kód: o_7610663

  • STB23NM50N

    Parametry

    • Typ kanálu: N
    • Typ produktu: Výkonové tranzistory MOSFET MDmesh II
    • Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id): 17A
    • Maximální napětí na zdroji (Vds): 500V
    • Typ balení: TO-263
    • Řada: MDmesh
    • Typ montáže: Povrch
    • Počet kolíků: 3
    • Maximální odpor zdroje (Rds): 0.19Ω
    • Režim kanálu: Vylepšení
    • Přímé napětí (Vf): 1.5V
    • Maximální napětí zdroje brány (Vgs): -25, +25V
    • Maximální ztrátový výkon (Pd): 125W
    • Minimální provozní teplota: -55°C
    • Typický náboj brány (Qg) @ Vgs: 45nC