řada: MDmesh DM2 MOSFET STB18N60DM2 N-kanálový 12 A 600 V STMicroelectronics, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

řada: MDmesh DM2 MOSFET STB18N60DM2 N-kanálový 12 A 600 V STMicroelectronics, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
  • řada: MDmesh DM2 MOSFET STB18N60DM2 N-kanálový 12 A 600 V STMicroelectronics, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
  • řada: MDmesh DM2 MOSFET STB18N60DM2 N-kanálový 12 A 600 V STMicroelectronics, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
Cena nyní (s DPH):
111,- Kč
bez DPH
92,-

Toto zboží bohužel neumíme momentálně dodat v rozumném termínu, ale určitě u nás naleznete něco podobného. Zkuste to třeba v této kategorii: Ostatní ceníkové zboží

Pokud chcete zjistit přesnou dostupnost, kontaktujte nás na emailu [email protected]

  • Výrobce: STMicroelectronics
    • Kód: o_1116459

  • STB18N60DM2

    Parametry

    • Typ kanálu: N
    • Typ produktu: MOSFET
    • Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id): 12A
    • Maximální napětí na zdroji (Vds): 600V
    • Typ balení: TO-263
    • Řada: MDmesh DM2
    • Typ montáže: Povrch
    • Počet kolíků: 3
    • Maximální odpor zdroje (Rds): 290mΩ
    • Režim kanálu: Vylepšení
    • Přímé napětí (Vf): 1.3V
    • Maximální napětí zdroje brány (Vgs): -25, +25V
    • Maximální ztrátový výkon (Pd): 90W
    • Minimální provozní teplota: -55°C
    • Typický náboj brány (Qg) @ Vgs: 20nC
Otázky a odpovědi k tomuto produktu
❓  Zeptat se

Zatím zde není žádná otázka ani odpověď k tomuto zboží. Buďte první, kdo se zeptá :-)

Recenze & Hodnocení výrobku