řada: FDmesh Výkonný tranzistor MOSFET FDmesh II STF11NM60ND N-kanálový 10 A 600 V STMicroelectronics, TO-220FP, počet

řada: FDmesh Výkonný tranzistor MOSFET FDmesh II STF11NM60ND N-kanálový 10 A 600 V STMicroelectronics, TO-220FP, počet
  • řada: FDmesh Výkonný tranzistor MOSFET FDmesh II STF11NM60ND N-kanálový 10 A 600 V STMicroelectronics, TO-220FP, počet
  • řada: FDmesh Výkonný tranzistor MOSFET FDmesh II STF11NM60ND N-kanálový 10 A 600 V STMicroelectronics, TO-220FP, počet
Cena nyní (s DPH):
159,- Kč
bez DPH
131,-
ks


    11 ks k dispozici
    Zboží doručíme do 7 pracovních dnů na Vaši adresu v rámci ČR i na Slovensko
  • Výrobce: STMicroelectronics
  • Kód: o_7612745

  • STF11NM60ND

    Parametry

    • Typ kanálu: N
    • Typ produktu: Výkonný tranzistor MOSFET FDmesh II
    • Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id): 10A
    • Maximální napětí na zdroji (Vds): 600V
    • Typ balení: TO-220FP
    • Řada: FDmesh
    • Typ montáže: Průchozí otvor
    • Počet kolíků: 3
    • Maximální odpor zdroje (Rds): 0.45Ω
    • Režim kanálu: Vylepšení
    • Přímé napětí (Vf): 1.3V
    • Maximální napětí zdroje brány (Vgs): -25, +25V
    • Maximální ztrátový výkon (Pd): 90W
    • Minimální provozní teplota: -55°C
    • Typický náboj brány (Qg) @ Vgs: 30nC