řada: E Výkonový MOSFET SIHB24N65E-GE3 N-kanálový 24 A 650 V Vishay, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový

řada: E Výkonový MOSFET SIHB24N65E-GE3 N-kanálový 24 A 650 V Vishay, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
Cena nyní (s DPH):
202,- Kč
bez DPH
167,-
ks


    979 ks k dispozici
    Zboží doručíme do 7 pracovních dnů na Vaši adresu v rámci ČR i na Slovensko
  • Výrobce: Vishay
  • Kód: o_2567413

  • SIHB24N65E-GE3

    Parametry

    • Typ kanálu: N
    • Typ produktu: Výkonový MOSFET
    • Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id): 24A
    • Maximální napětí na zdroji (Vds): 650V
    • Typ balení: TO-263
    • Řada: E
    • Typ montáže: Povrch
    • Počet kolíků: 3
    • Maximální odpor zdroje (Rds): 0.145Ω
    • Přímé napětí (Vf): 1.2V
    • Maximální napětí zdroje brány (Vgs): 30V
    • Maximální ztrátový výkon (Pd): 250W
    • Minimální provozní teplota: -55°C
    • Typický náboj brány (Qg) @ Vgs: 122nC
    • Maximální provozní teplota: +150°C