řada: E MOSFET SIHB30N60E-GE3 N-kanálový 29 A 600 V Vishay, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

řada: E MOSFET SIHB30N60E-GE3 N-kanálový 29 A 600 V Vishay, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
Cena nyní (s DPH):
206,- Kč
bez DPH
170,-
ks


    266 ks k dispozici
    Zboží doručíme do 7 pracovních dnů na Vaši adresu v rámci ČR i na Slovensko
  • Výrobce: Vishay
  • Kód: o_7689310

  • SIHB30N60E-GE3

    Parametry

    • Typ kanálu: N
    • Typ produktu: MOSFET
    • Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id): 29A
    • Maximální napětí na zdroji (Vds): 600V
    • Typ balení: TO-263
    • Řada: E
    • Typ montáže: Povrch
    • Počet kolíků: 3
    • Maximální odpor zdroje (Rds): 125mΩ
    • Režim kanálu: Vylepšení
    • Přímé napětí (Vf): 1.3V
    • Maximální napětí zdroje brány (Vgs): -20, +20V
    • Maximální ztrátový výkon (Pd): 250W
    • Minimální provozní teplota: -55°C
    • Typický náboj brány (Qg) @ Vgs: 85nC