řada: CoolSiCTM Trench MOSFET MOSFET FF4MR12W2M1HPB11BPSA1 N-kanálový 200 A 1200 V, EasyDUAL Infineon Vylepšení

řada: CoolSiCTM Trench MOSFET MOSFET FF4MR12W2M1HPB11BPSA1 N-kanálový 200 A 1200 V, EasyDUAL Infineon Vylepšení
Cena nyní (s DPH):
7157,- Kč
bez DPH
5915,-
ks


DOPRAVA ZDARMA
    14 ks k dispozici
    Zboží doručíme do 7 pracovních dnů na Vaši adresu v rámci ČR i na Slovensko
  • Výrobce: Infineon
  • Kód: o_349253

  • FF4MR12W2M1HPB11BPSA1

    Parametry

    • Typ kanálu: N
    • Typ produktu: MOSFET
    • Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id): 200A
    • Maximální napětí na zdroji (Vds): 1200V
    • Typ balení: EasyDUAL
    • Řada: CoolSiCTM Trench MOSFET
    • Typ montáže: Šroubová svorka
    • Maximální odpor zdroje (Rds): 8.7mΩ
    • Režim kanálu: Vylepšení
    • Přímé napětí (Vf): 5.35V
    • Maximální napětí zdroje brány (Vgs): 23V
    • Maximální ztrátový výkon (Pd): 20mW
    • Minimální provozní teplota: -40°C
    • Maximální provozní teplota: 175°C
    • Normy/schválení: IEC 60068, IEC 60747, IEC 60749