Sériová paměť FRAM (Ferroelectric RAM) FM25V10-G od výrobce Cypress. Jedná se o nevolatilní paměť s vysokou odolností vůči cyklování zápisu, vhodná pro aplikace vyžadující dlouhodobé uchovávání dat bez nutnosti baterie.
Vlastnosti
- Kapacita: 1 Mbit (128 kB)
- Organizace: 128 K × 8 bitů
- Rozhraní: sériové SPI
- Napájecí napětí: 2,0 až 3,6 V DC
- Pouzdro: SO8 (3,9 mm)
- Teplotní rozsah: -40 až +85 °C
- Certifikace: RoHS
Využití
Paměť FRAM se používá v průmyslových kontrolérech, měřicích přístrojích, datalogerech a zařízeních IoT, kde je třeba uchovávat konfiguraci, kalibrační data nebo záznamy událostí. Výhodou oproti klasické Flash paměti je prakticky neomezený počet cyklů zápisu a nižší spotřeba energie.