Ferromagnetická RAM (FRAM) paměť s paralelním rozhraním a nízkou spotřebou. Určena pro aplikace vyžadující rychlý přístup k datům a dlouhodobou uchování informací bez externí baterie.
Vlastnosti
- Kapacita: 256 kbit (32 kB)
- Organizace: 8bitová (×8)
- Rozhraní: paralelní
- Doba přístupu: 70 ns
- Napájení: 2,7 až 5,5 V DC
- Pouzdro: SO28 (7,5 mm)
- Teplotní rozsah: −40 až +85 °C
- Certifikace: RoHS
Využití
FRAM paměť se používá v průmyslové elektronice, měřicích přístrojích, datalogerech a zařízeních, kde je důležitá rychlost zápisu a čtení bez rizika ztráty dat. Na rozdíl od klasické EEPROM nabízí prakticky neomezený počet cyklů zápisu a nižší spotřebu energie.