Nezařazené - součástky

Statická paměť RAM (SRAM) s kapacitou 4 Mbit a organizací 512 K × 8 bitů Určena pro aplikace vyžadující rychlý přístup k datům s dobou přístupu 55 ns Vlastnosti Kapacita: 4 Mbit

Statická paměť RAM (SRAM) určená pro aplikace vyžadující rychlý přístup k datům Součástka je vhodná pro vestavbu do digitálních systémů, řídicích jednotek a průmyslové elektroniky

Statická RAM paměť (SRAM) určená pro aplikace vyžadující rychlý přístup k datům Součástka je vhodná pro vestavbu do digitálních obvodů, řídících systémů a zařízení s požadavkem na

Statická paměť RAM (SRAM) s kapacitou 4 Mbit určená pro aplikace vyžadující rychlý přístup k datům Součástka je určena pro profesionální elektronické systémy, průmyslové řídící je

Statická paměť RAM (SRAM) určená pro aplikace vyžadující rychlý přístup k datům a nízkou spotřebu energie Vhodná pro vestavěné systémy, průmyslové řídící jednotky a datové vyrovná

Statická paměť SRAM (SRAM) s kapacitou 4 Mbit v pouzdře TSOP II-44 Určena pro aplikace vyžadující rychlý přístup k datům s nízkou latencí Vlastnosti Kapacita: 4 Mbit (256K × 16 b

Statická paměť SRAM (SRAM) určená pro aplikace vyžadující rychlý přístup k datům Součástka s vysokou rychlostí přístupu a nízkou spotřebou energie Vlastnosti Kapacita: 512 kB (51

Statická paměť SRAM (SRAM) s kapacitou 1 Mbit v uspořádání 64K×16 bitů Určena pro aplikace vyžadující rychlý přístup k datům s nízkou latencí Vlastnosti Kapacita: 1 Mbit (64K×16

Statická paměť SRAM (SRAM) typu IS61LV5128AL-10KLI určená pro aplikace vyžadující rychlý přístup k datům s nízkou spotřebou energie Jedná se o profesionální součástku pro průmyslo

Piezoelektrický krystal pro stabilizaci kmitočtu v digitálních obvodech a komunikačních modulech Standardní SMD provedení s nízkou tolerancí vhodné pro běžné aplikace v průmyslu a

Izolovaný AC/DC měnič určený pro přímou montáž na desku plošných spojů Převádí síťové napětí na stabilizované stejnosměrné napětí 3,3 V s výstupním proudem 500 mA Vlastnosti Vstu

Paralelní EEPROM paměť určená pro ukládání dat a firmware v digitálních zařízeních Součástka s kapacitou 64 kilobitů (8 kilobajtů) a paralelním 8bitovým rozhraním Vlastnosti Kapa

Paralelní EEPROM paměť určená pro ukládání dat v digitálních zařízeních a vývojových systémech Součástka umožňuje čtení a zápis dat s možností smazání a přeprogramování Vlastnost

Bipolární NPN tranzistor v pouzdře SOT-23 určený pro nízkovýkonové spínací a zesilovací aplikace Vlastnosti Typ: NPN bipolární tranzistor Maximální napětí Uce: 45 V Maximální prou

Sériová EEPROM paměť s kapacitou 8 kbit (1 024 bajtů) a rozhraním SPI Určena pro ukládání dat v průmyslových a spotřebitelských aplikacích Vlastnosti Kapacita: 8 kbit (1 024 × 8

Sériová EEPROM paměť 25AA320A-I/SN od výrobce Microchip Určena pro ukládání dat v zařízeních s mikrokontroléry a digitálními obvody komunikujícími přes SPI rozhraní Vlastnosti Ka

Sériová EEPROM paměť s kapacitou 32 kbit (4 kB) určená pro ukládání dat v elektronických zařízeních Komunikace probíhá přes rozhraní SPI, což umožňuje jednoduchou integraci do růz

Sériová EEPROM paměť 25AA160D-I/SN od výrobce Microchip Určena pro ukládání dat v digitálních zařízeních s komunikací přes rozhraní SPI Vlastnosti Kapacita: 16 kbit (2 048 bajtů)

Sériová EEPROM paměť 24AA02 s rozhraním I2C určená pro ukládání dat v zařízeních s nízkým napájecím napětím Kapacita 2 kbit (256 bajtů) v 8bitovém formátu Vlastnosti Kapacita: 2

Sériová EEPROM paměť s kapacitou 2 kilobit a rozhraním I2C Určena pro ukládání konfiguračních dat, kalibrací a dalších informací v embedded systémech a průmyslové elektronice Vla

Sériová EEPROM paměť AT25010B-SSHL s kapacitou 1 kbit (128 × 8 bitů) Komunikace probíhá přes rozhraní SPI, vhodná pro ukládání konfiguračních dat a kalibračních konstant v embedde

Sériová EEPROM paměť s rozhraním SPI určená pro ukládání dat v nízkovoltážních aplikacích Součástka je vhodná pro mikrokontroléry, senzory a další digitální zařízení vyžadující ex

Sériová EEPROM paměť AT25040B-SSHL s kapacitou 4 kbit (512 × 8 bitů) Komunikace přes rozhraní SPI, určena pro nízkovoltážní aplikace Vlastnosti Kapacita: 4 kbit (512 × 8 bitů) Ro

Izolační podložka z materiálu Mylar určená pro krystaly HC49IP a podobné součástky Zajišťuje elektrickou izolaci a mechanickou ochranu při montáži Vlastnosti Materiál: Mylar Tlou