Nezařazené - součástky

Vysokonapěťový budič IR2110 určený pro řízení výkonových MOSFET a IGBT tranzistorů v topologiích s horní a dolní větví (half-bridge, full-bridge) Obvod zajišťuje galvanické odděle

Patice pro připojení elektromechanických relé s R15 kontakty Určena pro montáž na DIN lištu v rozvaděčích a ovládacích panelech Vlastnosti Typ kontaktů: R15 (2 kontakty) Jmenovit

Patice relé PZ11 určená pro připojení relé s R15-kontakty Standardní provedení pro montáž na DIN lištu v rozvaděčích a řídicích panelech Vlastnosti Typ: patice pro R15-kontakty P

Patice určená pro připojení a montáž elektromechanických relé řady R15 na DIN lištu Slouží jako standardní spojovací prvek v rozvaděčích a řídicích panelech Vlastnosti Určení: re

Vysouvací spona určená pro snadné vyjmutí a výměnu elektromechanických relé z patek Kompatibilní se standardními relé řady GZT2, GZT3, GZT4, GZM2, GZM3 a GZM4 Vlastnosti Typ: vys

Vysokonapěťový budič IR2112S určený pro řízení komplementárních párů MOSFET nebo IGBT tranzistorů v topologiích s vysokou a nízkou stranou (half-bridge) Obvod zajišťuje galvanické

Upevňovací spona určená pro fixaci relé v paticích řady PZ8/11 Jednoduché mechanické příslušenství pro bezpečné uchycení spínacího modulu v elektromechanických zařízeních Vlastno

Upevňovací spona určená pro mechanické uchycení relé v paticích řady GZ14 a GZ14U Jednoduché příslušenství pro stabilizaci spínacího modulu v montážní poloze Vlastnosti Kompatibi

Štítek na popis určený pro patice elektromechanických relé řady GZM a GZT (modely 2, 3, 4) Slouží k označení a identifikaci funkcí jednotlivých svorek na patici relé Použití Vhod

Vysokonapěťový budič IR2113S určený pro řízení MOSFET a IGBT tranzistorů v topologiích s horním a dolním spínačem (half-bridge, full-bridge) Integruje všechny potřebné funkce pro

Budič pro spínače MOSFET a IGBT určený pro řízení dolní větve (low-side) výkonových spínačů Součástka IR2121PBF je standardní řešení pro aplikace vyžadující spolehlivé a rychlé sp

Duální digitální potenciometr MCP4251-502E/SL s rozhraním SPI pro řízení analogových obvodů Součástka umožňuje programovatelné nastavení odporu bez mechanických pohyblivých částí

Výkonový N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace s vysokým proudem Nízký odpor kanálu umožňuje efektivní spínání v napájecích zdrojích, měničích a dalších výkonov

Tranzistor MFET-N,Uds=200V,Id=50A,P=300W,Ron=40mOhm IRFP260N Pouzdro:TO247 RoHS:LF Mj:ks Očekávaný termín naskladnění 23/26

N-kanálový výkonový MOSFET tranzistor určený pro spínané aplikace s vyšším napětím a proudem Vhodný pro spínače v napájecích zdrojích, měničích a výkonových obvodech Vlastnosti T

Výkonový N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace s vyšším napětím a proudem Vhodný pro spínané zdroje, měniče, ovládání motorů a dalších výkonových obvodů Vlastn

Elektromechanické výkonové relé určené pro spínání a přepínání obvodů v průmyslové automatizaci a řídících systémech Vlastnosti Napájení cívky: 24 V DC Výkon cívky: 1,5 W Počet ko

Elektromechanické výkonové relé určené pro průmyslové řídící obvody a automatizační aplikace Dvoupolohové provedení s vysokou spínací kapacitou Vlastnosti Napětí cívky: 230 V AC

Elektromechanické výkonové relé určené pro spínání a řízení elektrických obvodů v průmyslových aplikacích, automatizačních systémech a rozvaděčích Vlastnosti Cívka: 230 V AC, 2,8

Výkonový N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínané zdroje, měniče a výkonové aplikace vyžadující vysoké napětí a proud Vlastnosti Typ: N-kanál MOSFET (unipolární tranzistor)

Elektromechanické výkonové relé určené pro spínání a přepínání obvodů v průmyslových aplikacích, automatizaci a řídicích systémech Vlastnosti Napájení cívky: 230 V AC Příkon cívky

Elektromechanické výkonové relé určené pro spínání a řízení elektrických obvodů v průmyslových aplikacích, automatizačních systémech a řídicích zařízeních Vlastnosti Napájení cívk

Elektromechanické výkonové relé určené pro spínání a řízení elektrických obvodů v průmyslových aplikacích Slouží jako spínací modul v automatizačních systémech, řídicích panelech

Výkonový N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínané zdroje, měniče a výkonové aplikace s vyšším napětím Vlastnosti Typ: N-kanálový MOSFET (unipolární tranzistor) Maximální na