Nezařazené - součástky

Jednomístný sedmisegmentový LED displej (světelná dioda) určený pro zobrazování číslic a jednoduchých znaků v elektronických zařízeních a měřicích přístrojích Vlastnosti Typ displ

Tříčíslicový sedmisegmentový LED displej určený pro zobrazování číselných údajů v měřicích přístrojích, průmyslových zařízeních a elektronických systémech Vlastnosti Počet číslic:

Tříčíslicový sedmisegmentový LED displej s červeným světlem Určen pro zobrazování číselných údajů v měřicích přístrojích, průmyslových kontrolérech a digitálních panelech Vlastno

N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace s vyšším napětím Vhodný pro spínané zdroje, měniče a ochranu v obvodech s vyšším napěťovým zatížením Vlastnosti Typ: N-ka

Elyt radiál,Ir=960mA,Z20=63mOhm,-55+105°C,RM=5mm CERA-1000/10 10x12,5 LZA Pouzdro:pr10x12,5 RoHS:LF Mj:ks

Elyt radiál,Ir=810mA,-55+105°C,RM=5mm,1000uF,35V CERA-1000/35 12,5x20 A KMQ Pouzdro:pr12 5x20 RoHS:LF Mj:ks

Elyt radiál,Ir=300mA,-55+105°C,RM=5mm,220uF,50V CERA-220/50 10x12,5 A KMQ Pouzdro:pr10x12 5 RoHS:LF Mj:ks

Elyt radiál,Ir=460mA,-55+105°C,RM=5mm,470uF,35V CERA-470/35 10x16 A KMQ Pouzdro:pr10x16 RoHS:LF Mj:ks

Elyt radiál,Ir=540mA,-55+105°C,RM=5mm,470uF,50V CERA-470/50 10x20 A KMQ Pouzdro:pr10x20 RoHS:LF Mj:ks

Elyt SMD,Ir=230mA,Z20=700mOhm,-40+105°C,220uF,16V MLA-220/16 F80 ARAG Pouzdro:pr6 3x7 7 RoHS:LF Mj:ks

Elyt SMD,Ir=240mA,ESR=360mOhm,-55+105°C,22uF,35V MZJ-22/35 E61 ARAG Pouzdro:pr5x5 8 RoHS:LF Mj:ks

Elyt SMD,Ir=300mA,ESR=260mOhm,-55+105°C,220uF,6 3V MZJ-220/6,3 F61 ARAG Pouzdro:pr6 3x5 8 RoHS:LF Mj:ks

Elyt SMD,Ir=300mA,ESR=260mOhm,-55+105°C,47uF,35V MZJ-47/35 F61 ARAG Pouzdro:pr6 3x5 8 RoHS:LF Mj:ks

Výkonový N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínané zdroje, měniče a další aplikace vyžadující vysoké napětí a proud Vlastnosti Typ: MOSFET N-kanál Maximální napětí Uds: 700

Výkonový MOSFET tranzistor N-kanálový určený pro spínané zdroje, měniče a výkonové aplikace vyžadující vysoké napětí a proud Vlastnosti Typ: MOSFET N-kanál Maximální napětí Uds: 7

Výkonový N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínané zdroje, měniče a výkonové aplikace s vysokým napětím a proudem Vlastnosti Typ: N-kanálový MOSFET (unipolární tranzistor) M

Výkonový N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace s vysokým napětím a proudem Vhodný pro spínané zdroje, měniče a výkonové obvody vyžadující nízký odpor kanálu Vl

N-kanálový výkonový MOSFET tranzistor určený pro spínané aplikace s vysokým napětím a proudem Vhodný pro spínače v napájecích zdrojích, měničích a dalších výkonových obvodech Vla

Výkonový N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínané zdroje, měniče a další aplikace vyžadující vysoké napětí a proud Pouzdro D3PAK umožňuje efektivní odvod tepla Vlastnosti

Tranzistor MFET-N,Uds=1200V,Id=30A,P=161W,Ron=107mOhm MSC080SMB120B4N Pouzdro:TO247-4 RoHS:LF Mj:ks

Tranzistor MFET-N,Uds=1200V,Id=38A,P=192W,Ron=80mOhm MSC060SMB120B4N Pouzdro:TO247-4 RoHS:LF Mj:ks

Tranzistor MFET-N,Uds=1200V,Id=49A,P=237W,Ron=60mOhm MSC045SMB120B4N Pouzdro:TO247-4 RoHS:LF Mj:ks

Výkonový MOSFET tranzistor N-kanálového typu určený pro spínací aplikace ve vysokonapěťových obvodech Vhodný pro spínané zdroje, měniče a další výkonové obvody s vyšší teplotní zá

Nízkovýkonový N-kanálový MOSFET tranzistor v pouzdře SOT-23-6 Určen pro spínací aplikace v nízkých výkonech, jako jsou řídící obvody, logické úrovně a ochranné obvody Vlastnosti