Nízkovýkonový N-kanálový MOSFET tranzistor v pouzdře SOT-23-6. Určen pro spínací aplikace v nízkých výkonech, jako jsou řídící obvody, logické úrovně a ochranné obvody.
Vlastnosti
- Typ: N-kanálový MOSFET (unipolární tranzistor)
- Pouzdro: SOT-23-6 (SMD)
- RoHS certifikace: ano
- Nízký odpor kanálu (Ron) pro minimalizaci ztrát
Technické parametry
- Maximální napětí Uds
- 100 V
- Maximální proud Id
- 3 A
- Maximální výkon
- 1,5 W
- Odpor kanálu (Ron)
- 140 mΩ
Využití
MOSFET se používá v řídících obvodech, spínacích zdrojích, ochranných obvodech proti přepólování a v logických obvodech. Vhodný pro aplikace vyžadující rychlé přepínání a nízké ztráty.