MOSFET tranzistor s P-kanálem určený pro nízkovýkonové spínací aplikace. Základní provedení pro běžné použití v řídících obvodech, spínačích a logických aplikacích.
Vlastnosti
- Typ: MOSFET, P-kanál (obohacovací)
- Pouzdro: TO-92 (3 vývody)
- Maximální napětí mezi drainem a sourceem: 60 V
- Maximální výkon: 1 W
- Nízká spotřeba energie
- RoHS certifikace (bez olova)
Využití
MOSFET tranzistory řady VP2106N3-G se používají v nízkovýkonových spínacích aplikacích, řídicích obvodech, logických modulech a jako součást jednoduchých spínacích sítí. Vhodné pro prototypování a vývojové desky.
Technické parametry
- Model
- VP2106N3-G
- Typ kanálu
- P-kanál
- Maximální napětí Uds
- 60 V
- Maximální výkon
- 1 W
- Pouzdro
- TO-92
- Certifikace
- RoHS (LF — bez olova)