N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace s vysokým napětím. Vhodný pro spínané zdroje, měniče a ochranu proti přepětí.
Vlastnosti
- Typ: N-kanálový MOSFET
- Maximální napětí mezi drain-source: 1000 V
- Maximální proud drain: 2,5 A
- Maximální výkon: 90 W
- Odpor kanálu (RDS(on)): 6 Ω
- Pouzdro: DPAK (SMD)
- Certifikace: RoHS
Využití
MOSFET tranzistory řady STD3NK100Z se používají v napájecích zdrojích, DC-DC měničích, spínacích regulátorech a ochranných obvodech. Vysoké napětí a nízký odpor kanálu umožňují efektivní spínání v aplikacích s vyšší energií.