N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace s vyšším napětím. Vhodný pro spínané zdroje, měniče a ochranné obvody.
Vlastnosti
- Typ: N-kanálový MOSFET (unipolární tranzistor)
- Maximální napětí mezi drain-source: 600 V
- Maximální proud drain: 1 A
- Maximální výkon: 30 W
- Odpor kanálu (Ron): 8,5 Ω
- Pouzdro: DPAK (SMD)
- Certifikace: RoHS
Využití
MOSFET tranzistory řady STD1NK60T se používají v nízkoproudých spínacích aplikacích — spínané zdroje, DC-DC měniče, řídící obvody, ochrana proti přepětí a přepólování. Vhodné pro aplikace s napětím do 600 V a proudy do 1 A.