N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace s vyšším napětím. Vhodný pro spínané zdroje, měniče a ochranu v obvodech s vyšší energií.
Vlastnosti
- Typ: N-kanálový MOSFET (unipolární tranzistor)
- Maximální napětí mezi drain a source: 650 V
- Maximální proud drain: 1,8 A
- Maximální výkon: 25 W
- Pouzdro: TO-251 (SMD)
- Certifikace: RoHS
Využití
Tranzistor se používá v napájecích zdrojích, DC-DC měničích, spínacích regulátorech a ochranných obvodech. Vhodný pro aplikace vyžadující spínání při vyšších napětích a středních proudech.
Technické parametry
- Model
- SPU02N60C3
- Maximální napětí Uds
- 650 V
- Maximální proud Id
- 1,8 A
- Maximální výkon
- 25 W
- Pouzdro
- TO-251