N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace s vyšším výkonem. Nízký odpor kanálu zajišťuje efektivní přenos energie a minimální ztráty tepla.
Vlastnosti
- Typ: N-kanálový MOSFET (unipolární tranzistor)
- Pouzdro: DPAK (SMD)
- Nízký odpor kanálu (Ron) pro efektivní spínání
- Vhodný pro spínané zdroje, DC-DC měniče a výkonové aplikace
- Certifikace: RoHS
Technické parametry
- Maximální napětí Uds
- 25 V
- Maximální proud Id
- 50 A
- Maximální výkon
- 63 W
- Odpor kanálu (Ron)
- 5,7 mΩ
- Pouzdro
- DPAK
- Výrobce
- IRF
Využití
MOSFET se používá v napájecích zdrojích, DC-DC měničích, spínacích regulátorech a dalších aplikacích vyžadujících řízené spínání vyšších proudů. Nízký odpor kanálu minimalizuje ztráty a umožňuje efektivní práci při vysokých frekvencích.