N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace s vyšším výkonem. Nízký odpor kanálu zajišťuje efektivní přenos energie a minimální ztráty tepla.
Vlastnosti
- Typ: N-kanálový MOSFET
- Maximální napětí Uds: 80 V
- Maximální proud Id: 30 A
- Maximální výkon: 120 W
- Odpor kanálu (Ron): 28 mΩ
- Pouzdro: DPAK (SMD)
- Certifikace: RoHS
Využití
Vhodný pro spínané zdroje, DC-DC měniče, motorové ovladače, nabíječky a další aplikace vyžadující spínání vyšších proudů. Nízký odpor kanálu minimalizuje ztráty a umožňuje práci s vyšší účinností.