Nízkovýkonový MOSFET tranzistor N-kanálového typu určený pro spínací aplikace v nízkých a středních výkonech. Vhodný pro řídící obvody, spínače a jednoduché zesilovací stupně.
Vlastnosti
- Typ: MOSFET N-kanál (unipolární tranzistor)
- Maximální napětí mezi drain-source: 60 V
- Maximální proud drain: 2,5 A
- Maximální výkon: 1,3 W
- Odpor kanálu (Ron): 100 mΩ
- Pouzdro: DIP-4
- Certifikace: RoHS
Využití
MOSFET tranzistory řady IRLD024 se používají v řídících obvodech, spínacích aplikacích, obvodech pro řízení LED, malých motorů a v jednoduchých zesilovacích stupních. Nízký odpor kanálu zajišťuje nízké ztráty při spínání.