N-kanálový MOSFET tranzistor s nízkou hodnotou kanálového odporu, určený pro spínané zdroje, měniče a výkonové aplikace vyžadující vysoký proud.
Vlastnosti
- Typ: N-kanálový MOSFET (unipolární tranzistor)
- Maximální napětí mezi drainem a sourceem: 55 V
- Maximální proud drenu: 104 A
- Maximální výkon: 200 W
- Kanálový odpor (RDS(on)): 8 mΩ
- Pouzdro: D2PAK (SMD)
- Certifikace: RoHS
Využití
Tranzistor se používá v napájecích zdrojích, DC-DC měničích, spínacích regulátorech, měničích napětí a dalších výkonových aplikacích, kde je vyžadován vysoký spínací proud a nízké ztráty. Nízký kanálový odpor zajišťuje minimální úbytek napětí a efektivní chlazení.