Výkonový N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace s vysokým proudem. Nízký odpor kanálu umožňuje efektivní spínání v napájecích zdrojích, měničích a dalších výkonových obvodech.
Vlastnosti
- Typ: N-kanálový MOSFET (unipolární tranzistor)
- Maximální napětí mezi drainem a sourceem: 100 V
- Maximální proud drenu: 120 A
- Maximální výkon: 250 W
- Odpor kanálu (RDS(on)): 6 mΩ (při nominálních podmínkách)
- Pouzdro: D2PAK (SMD)
- Certifikace: RoHS
Využití
MOSFET se používá v měničích napětí (DC-DC), spínaných zdrojích, řídicích obvodech motorů, nabíječkách a dalších aplikacích vyžadujících spínání vysokých proudů s minimálními ztrátami. Nízký odpor kanálu zajišťuje nízké tepelné ztráty a vysokou účinnost.