Výkonový MOSFET tranzistor kanálu P určený pro spínací aplikace v napěťových zdrojích, měničích a dalších výkonových obvodech.
Vlastnosti
- Typ: MOSFET kanál P (P-channel)
- Pouzdro: DPAK (SMD)
- Závěrné napětí (Uds): 400 V
- Maximální proud (Id): 1,8 A
- Maximální výkon: 50 W
- Odpor kanálu (Ron): 7 Ω
- Certifikace: RoHS
Využití
Vhodný pro spínané zdroje, DC-DC měniče, nabíječky a další výkonové aplikace vyžadující tranzistor kanálu P s vyšším napětím a středním výkonem. Používá se v průmyslové elektronice a servisu.