Výkonový MOSFET tranzistor kanálu P určený pro spínací aplikace a výkonové obvody. Nízký odpor kanálu zajišťuje minimální ztráty tepla a vysokou účinnost.
Vlastnosti
- Typ: MOSFET kanál P (P-channel)
- Pouzdro: TO-252AA (SMD)
- Závěrné napětí (Uds): 60 V
- Maximální proud (Id): 8,8 A
- Maximální výkon: 42 W
- Odpor kanálu (Ron): 280 mΩ
- Certifikace: RoHS
Využití
MOSFET tranzistory kanálu P se používají v napájecích zdrojích, DC-DC měničích, spínacích regulátorech a výkonových obvodech, kde je vyžadován nízký odpor kanálu a vysoká spínací frekvence. Vhodný pro aplikace s napětím do 60 V a proudy do 8,8 A.