Výkonový N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace s vysokým napětím. Vhodný pro spínané zdroje, měniče, invertory a další výkonové obvody vyžadující spolehlivé spínání při vysokých napěťových úrovních.
Vlastnosti
- Typ: N-kanálový MOSFET
- Maximální napětí mezi drain-source: 1 000 V
- Maximální proud drain: 6,1 A
- Maximální výkon: 190 W
- Odpor kanálu (RDS(on)): 2 Ω
- Pouzdro: TO-247
- Certifikace: RoHS
Využití
MOSFET tranzistory řady IRFPG50 se používají v napájecích zdrojích, DC-DC měničích, spínacích regulátorech a výkonových obvodech, kde je vyžadováno spínání při vysokých napěťích a středních proudech. Typické aplikace zahrnují průmyslové zdroje, UPS systémy a výkonové měniče.