Výkonový N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace s vysokým proudem a napětím. Součástka je vhodná pro spínané zdroje, měniče, invertory a další výkonové elektronické obvody.
Vlastnosti
- Typ: N-kanálový MOSFET (unipolární tranzistor)
- Maximální napětí mezi drain-source: 200 V
- Maximální proud drain: 90 A
- Maximální výkon: 580 W
- Odpor kanálu (RDS(on)): 23 mΩ (při referenčních podmínkách)
- Pouzdro: TO-247 (třívývodové, vhodné pro přímé chlazení)
- Certifikace: RoHS
Využití
MOSFET tranzistory tohoto typu se používají v napájecích zdrojích, DC-DC měničích, UPS zařízeních, solárních regulátorech a dalších aplikacích vyžadujících spínání vysokých proudů. Nízký odpor kanálu zajišťuje nízké ztráty a vysokou účinnost. Pouzdro TO-247 umožňuje efektivní odvod tepla pomocí chladiče.
Technické parametry
- Model
- IRFP90N20DPBF
- Maximální napětí UDS
- 200 V
- Maximální proud ID
- 90 A
- Maximální výkon
- 580 W
- Odpor kanálu RDS(on)
- 23 mΩ
- Pouzdro
- TO-247
- Výrobce
- IRF