N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace v nízkovýkonových obvodech. Vhodný pro řízení zátěží, spínače a malé výkonové stupně.
Vlastnosti
- Typ: N-kanálový MOSFET (unipolární tranzistor)
- Maximální napětí Uds: 100 V
- Maximální proud Id: 1,3 A
- Maximální výkon: 1,3 W
- Odpor kanálu (Ron): 270 mΩ
- Pouzdro: HVMDIP
- Certifikace: RoHS
Využití
Tranzistor se používá v řídících obvodech, spínacích aplikacích, ochranných obvodech a malých výkonových stupních. Typické použití v průmyslové elektronice, servisu a vývojových projektech.
Technické parametry
- Model
- IRFD120PBF
- Maximální napětí Uds
- 100 V
- Maximální proud Id
- 1,3 A
- Maximální výkon
- 1,3 W
- Odpor kanálu
- 270 mΩ
- Pouzdro
- HVMDIP
- Výrobce
- VIS