MOSFET tranzistor IRFD120PBF, N-kanál, 100 V / 1,3 A, HVMDIP

MOSFET tranzistor IRFD120PBF, N-kanál, 100 V / 1,3 A, HVMDIP
Cena nyní (s DPH):
109,- Kč
bez DPH
90,-
ks


    3 ks k dispozici
    Zboží doručíme do 4 pracovních dnů na Vaši adresu v rámci ČR i na Slovensko
  • Výrobce: VIS
    • Kód: em_09032

  • N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace v nízkovýkonových obvodech. Vhodný pro řízení zátěží, spínače a malé výkonové stupně.

    Vlastnosti

    • Typ: N-kanálový MOSFET (unipolární tranzistor)
    • Maximální napětí Uds: 100 V
    • Maximální proud Id: 1,3 A
    • Maximální výkon: 1,3 W
    • Odpor kanálu (Ron): 270 mΩ
    • Pouzdro: HVMDIP
    • Certifikace: RoHS

    Využití

    Tranzistor se používá v řídících obvodech, spínacích aplikacích, ochranných obvodech a malých výkonových stupních. Typické použití v průmyslové elektronice, servisu a vývojových projektech.

    Technické parametry

    Model
    IRFD120PBF
    Maximální napětí Uds
    100 V
    Maximální proud Id
    1,3 A
    Maximální výkon
    1,3 W
    Odpor kanálu
    270 mΩ
    Pouzdro
    HVMDIP
    Výrobce
    VIS