N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace v nízkovýkonových obvodech. Součástka je vhodná pro řízení zátěží, spínače a ovladače v průmyslové elektronice a servisu.
Vlastnosti
- Typ: N-kanálový MOSFET (unipolární tranzistor)
- Maximální napětí mezi drain-source: 60 V
- Maximální proud drain: 1,7 A
- Maximální výkon: 1,3 W
- Odpor kanálu (Ron): 200 mΩ
- Pouzdro: HVMDIP
- Certifikace: RoHS
Využití
MOSFET tranzistory řady IRFD014 se používají v řídících obvodech, spínačích, měničích a ochranných zařízeních. Nízký odpor kanálu zajišťuje efektivní spínání s minimálními ztrátami. Vhodné pro aplikace s napětím do 60 V a proudy do 1,7 A.