N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace v napájecích zdrojích, měničích a výkonových obvodech. Vyznačuje se nízkou hodnotou kanálového odporu a vysokou spínací frekvencí.
Vlastnosti
- Typ: MOSFET, N-kanál, vylepšený typ (enhancement mode)
- Maximální napětí mezi drain a source (Uds): 150 V
- Maximální proud drain (Id): 17 A
- Maximální výkon: 80 W
- Kanálový odpor (Ron): 80 mΩ
- Pouzdro: TO-220AB
- Certifikace: RoHS
Využití
MOSFET tranzistory řady IRFB4019 se používají v spínaných zdrojích, DC-DC měničích, motorových řídičích a dalších výkonových aplikacích vyžadujících spolehlivé spínání. Nízký kanálový odpor minimalizuje ztráty tepla a zvyšuje účinnost obvodu.