Výkonový MOSFET tranzistor s kanálem P (P-channel) určený pro spínací aplikace v napájecích zdrojích, měničích a dalších obvodech vyžadujících řízení vyšších napětí a proudů.
Vlastnosti
- Typ: MOSFET, kanál P (P-channel)
- Pouzdro: TO-220AB
- Maximální napětí mezi drain a source (Uds): 200 V
- Maximální proud drain (Id): 1,8 A
- Maximální výkon: 20 W
- Odpor kanálu (Ron): 3 Ω
- Certifikace: RoHS
Využití
MOSFET IRF9610PBF se používá v obvodech spínajících zápornou větev napájecího zdroje — v DC-DC měničích, spínaných zdrojích, řídicích obvodech a dalších aplikacích, kde je potřeba řízení vyšších napětí s nízkým odporem kanálu. Vhodný pro profesionální servisy, vývojáře a integrátoři elektronických zařízení.