Výkonový MOSFET tranzistor s P-kanálem (vodivostní kanál typu P) v pouzdře D2PAK určený pro spínací aplikace a výkonové obvody.
Vlastnosti
- Typ: MOSFET P-kanál (vodivostní kanál typu P)
- Pouzdro: D2PAK (SMD)
- Nízký odpor kanálu (Ron) pro minimalizaci ztrát
- Vhodný pro spínané zdroje, měniče a výkonové spínače
- Certifikace: RoHS (LF)
Technické parametry
- Maximální napětí Uds
- 100 V
- Maximální proud Id
- 19 A
- Maximální výkon
- 150 W
- Odpor kanálu (Ron)
- 200 mΩ
Využití
MOSFET tranzistory P-kanálu se používají v napájecích zdrojích, DC-DC měničích, spínacích obvodech a výkonových aplikacích, kde je třeba spínat nebo regulovat proud v dolní větvi obvodu. Nízký odpor kanálu zajišťuje nízké ztráty a vysokou účinnost.