Výkonový MOSFET tranzistor s P-kanálem (vodivostní kanál typu P) v pouzdře TO-220AB. Určen pro spínací aplikace v napájecích zdrojích, měničích a dalších obvodech vyžadujících řízení výkonových zátěží.
Vlastnosti
- Typ: MOSFET, P-kanál (vodivostní kanál typu P)
- Maximální napětí mezi drain a source: 100 V
- Maximální proud drain: 14 A
- Maximální výkon: 79 W
- Odpor kanálu (RDS(on)): 200 mΩ
- Pouzdro: TO-220AB
- Certifikace: RoHS
Využití
MOSFET tranzistory P-kanálu se používají v obvodech, kde je potřeba spínat nebo regulovat proud v horní větvi zdroje. Typické aplikace zahrnují spínané zdroje, DC-DC měniče, řídící obvody, ochranu baterií a výkonové spínače v průmyslové elektronice.