N-kanálový výkonový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace s vyšším napětím a proudem. Vhodný pro spínané zdroje, měniče a výkonové obvody.
Vlastnosti
- Typ: N-kanálový MOSFET (unipolární tranzistor)
- Pouzdro: D2PAK (SMD)
- Certifikace: RoHS
- Nízký odpor kanálu pro minimalizaci ztrát
Technické parametry
- Maximální napětí Uds
- 500 V
- Maximální proud Id
- 8 A
- Maximální výkon
- 125 W
- Odpor kanálu (Ron)
- 850 mΩ
Využití
MOSFET tranzistory řady IRF840S se používají v napájecích zdrojích, DC-DC měničích, spínacích regulátorech a výkonových obvodech, kde je vyžadováno spínání při vyšších napětích a proudech. Vhodný pro profesionální elektroniku a průmyslové aplikace.